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ddr内存是sram还是dram,sram快于dram

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2020-01-21

来源:互联网

作者:佚名

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ddr内存是sram还是dram SRAM存储元件所用MOS管多,占硅片面积大,因而功耗大,集成度低;DRAM存储元件所用MOS管少,占硅片面积小,因而功耗小,集成度很高;SRAM采用一个正负反馈触发器电路来存储信息,所以只要直流供电电源一直加在电路上,就能一直保持记忆状态不变,所以无需刷新。DRAM采用电容存储电荷来存储信息,会发生漏电现象,所以要使状态保持不变,必须定时刷新;因为读操作会使状态

ddr内存是sram还是dram

SRAM存储元件所用MOS管多,占硅片面积大,因而功耗大,集成度低;DRAM存储元件所用MOS管少,占硅片面积小,因而功耗小,集成度很高;SRAM采用一个正负反馈触发器电路来存储信息,所以只要直流供电电源一直加在电路上,就能一直保持记忆状态不变,所以无需刷新。DRAM采用电容存储电荷来存储信息,会发生漏电现象,所以要使状态保持不变,必须定时刷新;因为读操作会使状态发生改变,故需读后再生。SRAM不会因为读操作而使状态发生改变,故无需读后再生,特别是它的读写速度快,其存储原理可看作是对带时钟的RS触发器的读写过程。DRAM因为特别是它的读写速度相对SRAM元件要慢的多,其存储原理可看作是对电容充、放电的过程。SRAM价格比较昂贵,因而适合做高速小容量的半导体存储器,如Cache。相比于SRAM、DRAM价格较低,因而适合做慢速大容量的半导体存储器,如主存。有三种刷新方式:集中、分散和异步。扩展资料:静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory,SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而,当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失(被称为volatile memory),这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

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sram快于dram

存储器按生产工艺分:静态存储器与动态存储器静态存储器(SRAM):读写速度快,生产成本高,多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态存储器(DRAM):读写速度较慢,集成度高,生产成本低,多用于容量较大的主存储器。静态存储器与动态存储器主要性能比较如下表:静态和动态存储器芯片特性比较SRAM DRAM存储信息 触发器 电容破坏性读出 非 是需要刷新 不要 需要送行列地址 同时送 分两次送运行速度 快 慢集成度 低 高发热量 大 小存储成本 高 低动态存储器的定期刷新:在不进行读写操作时,DRAM 存储器的各单元处于断电状态,由于漏电的存在,保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉,为此必须定时予以补充,称为刷新操作.

dram比sram快

按照存储信息的不同,随机存储器分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM,DRAM)。静态存储单元(SRAM)存储原理:由触发器存储数据单元结构:六管NMOS或OS构成优点:速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低;常用作Cache缺点:元件数多、集成度低、运行功耗大常用的SRAM集成芯片:6116(2K×8位),6264(8K×8位),62256(32K×8位),2114(1K×4位)动态存储单元(DRAM)存贮原理:利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理,需刷新(早期:三管基本单元;现在:单管基本单元)刷新(再生):为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失,必须定时给栅极电容补充电荷的操作刷新时间:定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间(小于2ms)。优点:集成度远高于SRAM、功耗低,价格也低缺点:因需刷新而使外围电路复杂;刷新也使存取速度较DRAM慢,所以在计算机中,SRAM常用于作主存储器。尽管如此,由于DRAM【1】存储单元的结构简单,所用元件少,集成度高,功耗低,所以目前已成为大容量RAM的主流产品。

sram和dram

1、SRAM存储一位需要花6个晶体管,而DRAM只需要花一个电容和一个晶体管。cache追求的是速度所以选择SRAM,而内存则追求容量所以选择能够在相同空间中存放更多内容并且造价相对低廉的DRAM。2、SRAM和DRAM的寻址方式也有所不同。虽然通常我们都认为内存像一个长长的数组呈一维排列,但实际上内存是以一个二维数组的形式排列的,每个单元都有其行地址和列地址,当然cache也一样。而这两者的不同在于对于容量较小的SRAM,我们可以将行地址和列地址一次性传入到SRAM中,而如果我们对DRAM也这样做的话,则需要很多很多根地址线(容量越大,地址越长,地址位数越多)。所以我们选择分别传送行地址和列地址到DRAM中。先选中一整行,然后将整行数据存到一个锁存器中,等待列地址的传送然后选中所需要的数据。这也是为什么SRAM比DRAM快的原因之一。3、从名字上看,SRAM与DRAM的区别只在于一个是静态一个是动态。由于SRAM不需要刷新电路就能够保存数据,所以具有静止存取数据的作用。而DRAM则需要不停地刷新电路,否则内部的数据将会消失。

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